石墨烯秒变宽带隙半导体，只需添加这个元素

石墨烯秒变宽带隙半导体，只需添加这个元素

少量的氟将白色石墨烯由绝缘体转变成具有磁性的宽带隙半导体。莱斯大学的科学家表示，这样可以使独特的材料适用于极端环境中的电子设备。

莱斯大学研究人员的一篇概念证明论文证实了将二维六方氮化硼（h-BN）（即白色石墨烯）从绝缘体转变为半导体的方法。他们说，磁性是一个意想不到的额外收获。

由于原子薄的材料是一种特殊的热导体，研究人员认为它可能对高温应用中的电子产品有用，甚至可能是磁存储器件。

莱斯大学的科学家Pulickel Ajayan表示：“h-BN是一种稳定的绝缘体，在商业上非常有用，可用于保护涂层甚至在化妆品中，因为它吸收了紫外线。研究人员尝试修改其电子结构已经付出了很多努力，但是我们认为它不会成为半导体和磁性材料。所以这项研究是非常不同的，没有人在h-BN中看到这种行为。”

研究人员发现，向h-BN添加氟，并引入到原子矩阵中的缺陷，从而减小了带隙，使其成为半导体。带隙决定材料的导电性。

莱斯大学博士后研究员兼合着者Chandra Sekhar Tiwary说：“我们看到加入约5％的氟时，带隙缩小了。随着继续增加氟，带隙变小，但只是到了某一点。精确的控制氟是我们需要处理的。我们可以得到一个范围，但还没有实现精确的控制。由于材料原子薄，一个原子减少或增多都会带来相当多的变化。在接下来的一组实验中，我们想要学会精确地调整原子。”

他们确认，添加氟原子施加的张力改变了氮原子中电子的“自旋”，并影响了它们的磁矩，这些决定了原子如何像无形纳米尺度罗盘那样对磁场发生响应。

赖斯大学的研究生兼主要作者Sruthi Radhakrishnan说：“我们看到角度定向旋转，这对于二维材料来说非常不寻常。与对准以形成铁磁体或彼此抵消不同，自旋随机倾斜，使平面材料随机存储净磁性。这些铁磁体或反铁磁性存储可以存在于相同的h-BN样品中，这使得它们与竞争的领域成为“沮丧的磁体”。

研究人员说，他们这种简单、可扩展的方法在其他2-D材料中具有潜在应用价值。“通过纳米工程制造新材料正是我们研究组所关注的。”Ajayan说。（工业和信息化部电子第一研究所 张慧）

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