水银整流器和电子管用石墨制品的性能

水银整流器和电子管用石墨制品的性能化合物半导体用的多晶硅生产。化合物废气半导体的原料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素构成，代表性的元素有镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、铟（In）等。化合物半导体单晶与Si单晶有些区别，一般采用液封CZ拉伸法（EC: Liquid Encapsulated Czochralski）制造，但是也有用合成方法生成多晶化合物并以此为原料的做法。例如，制造GaP时，按照其化学当量的比将Ga和P装入石墨管，加盖封闭，在加压的同时，用中频感应加热至大约1500℃，使之熔融，反应生成GaP的合成多晶。这里所用的石墨要求具有高纯度、高热导性和高温强度等特性。

由于人造石墨体积密度比铝还轻，在常压下不熔化蒸气压很小，有良好的导电性能，导热系数比铁、锡、镍、汞和铂高，而线膨胀系数却很低，大体与玻璃相同，具有良好的耐热冲击性能和稳定性以及高的电子逸出功并不与汞起反应等特性，因此，它可作为水银整流器阳极、栅极和大型电子管用石墨制品的阳极和栅极等。

水银整流器和电子管用石墨制品的性能

水银整流器和电子管用石墨制品要求灰分杂质含量少，机械强度高。灰分杂质在阳极表面能放射电子，特别有害的是半导体的杂质，如硅、碱金属和碱土金属（包括钠、钾、钙、镁及其氧化物）。因为这些杂质容易使整流器产生逆弧现象。有泵阳极灰分要求小于0.035％，而无泵水银整流器阳极装入机体后，除解体检修外，不能抽气。如存有灰分杂质影响更大，要求灰分小于0.01％。此外，还要求石具有一定的机械强度，表面加工均匀一致，气孔率小、致密等。