你知道多少制备石墨烯的方法

你知道多少制备石墨烯的方法

该中试装置采用不需要PMMA的制造工艺开发。为此，我们将一英寸的CVD石墨烯（生长在铜上）旋转到Nafion溶液（5%当量）上。然后，在碳布电极（浸渍Vulcan催化剂上的20%铂）和旋涂CVD石墨烯。最后，将所得结构置于过硫酸铵溶液中蚀刻铜并在去离子水中冲洗。在此阶段，石墨烯粘附在Nafion膜上；这可以通过光学和扫描电镜进行检查。重要的是，可以通过大约10 kO的膜电阻率来验证覆盖范围。hm/square在我们的案例中；我们95%光学验证的CVD覆盖范围可以得到确认。

为了测试所得薄膜的氢正离子选择性，我们将铂（2nm）蒸发在石墨烯薄膜上，并将碳布电极压在其上，形成良好的电接触。与微型器件一样，我们通过在输入端将薄膜暴露于不同的H-D比来研究氢正离子的渗透。我们发现，在输入端，薄膜中的氢正离子透过率为0.5%。膜保留了它的选择性，事实上，我们测量了质子-氘核分离9。相反，没有一个石墨烯大小相同的器件显示出完全没有选择性，这与我们之前的结果一致。

当使用PMMA时，CVD石墨烯被涂上PMMA，铜被蚀刻，留下一层PMMA涂层的石墨烯薄膜漂浮在蚀刻溶液中。该薄膜需要转移到目标基板上。PMMA层非常薄（在纳米尺度上），这意味着从蚀刻溶液中去除石墨烯/PMMA薄膜特别精细。它是PMMA工艺的规模难以扩大，CVD石墨烯通过1英寸规模的器件直接刻印在目标基板上。

此外，评估与所述同位素分离方法相关的潜在能源成本是有用的。对于铂活化石墨烯，质子导电率为100ms /cm2。使用低压V_0.1V可以很容易地实现质子电流i=_v_100a/m2，以避免石墨烯界面形成气泡。这将转换为o H2生产率r=i/2nae_2摩尔每小时每平方米（其中na为阿伏伽德罗数），生产能量为iv/r=2naev_5wh/mole或0.3kwh/kg的给水，这比现有浓缩过程中较高的能源成本更为有利，原则上，用铂活化的hbn和_1ms/cm2可以获得更高的产量。（100次）。

由石墨烯和六角氮化硼（HBN）单层（它们对热质子具有意想不到的渗透性）制备出二维质子导电膜。我们还发现，通过用催化纳米颗粒装饰单层二维材料（包括但不限于石墨烯和HBN），可以进一步降低质子屏障。因此，当其它二维材料经催化金属处理后也能产生质子传导，这种原子薄质子导体方法在许多氢基技术中具有良好的应用前景。

当然，石墨烯薄膜的制备方法有很多，以后会介绍给大家，另外，重庆远世盛石墨烯薄膜工业有限公司还可以采用液相法和卷对卷工艺生产大量透明导电石墨烯薄膜，薄膜的参数比较好。d.

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